SP010N01BGHTO Siliup Semiconductor Vietnam

1. Giới thiệu sản phẩm SP010N01BGHTO

SP010N01BGHTO thuộc nhóm MOSFET công suất thấp điện trở dẫn (low Rds(on)), sử dụng công nghệ split gate trench hiện đại giúp giảm tổn hao và tăng hiệu suất chuyển mạch.

Thiết bị được đóng gói dạng TOLL-8L (surface mount), phù hợp cho thiết kế mạch công suất cao nhưng vẫn tối ưu không gian PCB.

2. Ưu điểm nổi bật

• Điện trở dẫn cực thấp (~1.1–1.2 mΩ) → giảm tổn hao nhiệt
• Dòng tải lớn lên đến 370A
• Chuyển mạch nhanh, phù hợp mạch PWM và high-frequency
• Công suất tản nhiệt cao (~410W)
• Công nghệ trench giúp hiệu suất cao và ổn định
• Đóng gói SMD → dễ tích hợp mạch hiện đại

3. Thông số kỹ thuật chính

• Model: SP010N01BGHTO
• Loại: N-Channel MOSFET
• Điện áp Vds: 100V
• Dòng Id: 370A
• Rds(on): ~1.1–1.2 mΩ @10V
• Công suất Pd: ~410W
• Vgs(th): ~3V
• Nhiệt độ hoạt động: -55 → +150°C
• Package: TOLL-8L

4. Ứng dụng tiêu biểu

• Nguồn xung (SMPS)
• Bộ chuyển đổi DC-DC
• Inverter / biến tần
• Hệ thống pin, BMS
• Bộ điều khiển motor
• Thiết bị điện công suất cao

5. Lý do nên chọn SP010N01BGHTO

• Hiệu suất cao nhờ Rds(on) thấp
• Chịu dòng lớn, phù hợp tải nặng
• Tản nhiệt tốt → tăng tuổi thọ linh kiện
• Giá thành thấp (~0.6–0.9 USD/pcs tùy số lượng)
• Phù hợp thiết kế nguồn và mạch công suất hiện đại